Výrobca Číslo produktu:
IPD03N03LB G
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD03N03LB G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
12805253
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD03N03LB G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 70µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5200 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
115W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD03N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD03N03LBGINTR
IPD03N03LBG
IPD03N03LBGINCT
IPD03N03LBGINDKR
SP000016408
IPD03N03LB G-DG
IPD03N03LBGXT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD150N3LLH6
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5
ČÍSLO DIELU
STD150N3LLH6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.91
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB155N3LH6
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB155N3LH6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.09
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB110P06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
IRF9Z24NL
MOSFET P-CH 55V 12A TO262
IPI50R399CPXKSA2
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
